Досье личности

Ценность: 1 (5)

Симпатия: 1 (5)

дата обновления - 2017-01-26

просмотров - 2

КАПЛЯНСКИЙ Александр Александрович

Имя латиницей: Kaplyanskij Aleksandr Aleksandrovich

Пол: мужской

Дата рождения: 14.12.1930 Возраст (86)

Место рождения: Ленинград, Россия

Знак зодиака: Стрелец

По восточному: Лошадь

География: РОССИЯ, СССР.

Ключевые слова: академик, знание, наука, физик.

Ключевой год: 1966

Александр Александрович КАПЛЯНСКИЙ

российский физик, член-корреспондент РАН (1991; член-корреспондент АН СССР с 1987). Академик. Окончил Ленинградский государственный университет (1953). Работал в ЛФТИ им. А. Ф. Иоффе. Профессор Санкт-Петербургского государственного университета, заведующий филиалом кафедры физики твердого тела физического факультета в ЛФТИ. Работы в области оптической спектроскопии твердого тела, исследований полупроводников и диэлектриков. Обнаружил и исследовал линейчатую структуру края фундаментального поглощения полупроводников, связанной с оптическим возбуждением экситонов (1957). В 1960 г. экспериментально обнаружил явление оптической анизотропии кубических кристаллов в области экситонного резонанса в спектре кристаллов закиси меди. Выполнил пионерские работы в области пьезооптики полупроводников. Ленинская премия (1966) за работы по физике экситонов в полупроводниках. В конце 1950-х гг. начал активно изучать спектры легированных примесными ионами диэлектрических кристаллов. В 1958 г. обнаружил обратимое расщепление спектральных линий примесных центров в кристаллах при упругой направленной деформации кристаллов («расщепление Каплянского»). Создал пьезоспектроскопический метод определения локальной симметрии примесных центров и точечных дефектов в кристаллах, широко используемого ныне в мировой практике (Государственная премия СССР, 1975).

В 1973 г. с Ю. Ф. Марковым открыл новый класс сегнетоэластиков (галогениды одновалентной ртути), обладающих уникальной высокой анизотропией упругих и оптических свойств. Установил механизм сегнетоэластического фазового перехода и обнаружил новые спектроскопические проявления динамики решеток с мягкими модами, которые сделали галогениды ртути модельными объектами для спектроскопического изучения общих свойств структурных фазовых переходов в кристаллах. Внес вклад в изучение фундаментальных свойств акустических фононов сверхвысокочастотного (терагерцового) диапазона, в котором уже не работают традиционные ультразвуковые методы. В начатом в 1975 г. многолетнем цикле работ А. А. Каплянским совместно с сотрудниками (А. В. Акимов, С. А. Басун, С. П. Феофилов) с помощью оптического детектирования неравновесных терагерцовых фононов, инжектированных в кристаллы при гелиевой температуре, изучены режимы распространения фононов, их рассеяние на дефектах решетки и на поверхности, взаимодействие с электронными уровнями примесей и экситонами, ангармонические взаимодействия. Обнаружены специфические особенности поведения терагерцовых фононов в некристаллических твердых телах, в низкоразмерных полупроводниковых структурах с квантовыми ямами, в пространственно неоднородных (керамика) и пространственно-ограниченных (волокна) кристаллических средах. В 1983 г. вместе с С. А. Басуном и С. П. Феофиловым обнаружил новое фотоэлектрическое явление в примесных диэлектриках – спонтанное образование под действием света устойчивых доменов сильного (10 5 – 10 6 В/см) электрического поля противоположного знака в кристаллах концентрированного рубина. На опыте наблюдалась предсказанная феноменологической теорией эффекта (М. И. Дьяконов) отрицательная абсолютная электрическая проводимость оптически возбужденного рубина и выяснен микромеханизм явления.

В 1990-х гг. с сотрудниками провел исследования разнообразных явлений, связанных с фотоионизацией примесей и фотопереносом заряда в диэлектриках, сегнетоэлектриках и фоторефрактивных кристаллах. В частности, совместно с сотрудниками в содружестве с Университетом штата Джорджия (США) установил основные микропроцессы, определяющие свойства фотохимического (фотоионизационного) выжигания узких провалов («дыр») в неоднородно-уширенном контуре спектральных линий примесных ионов. С 1995 г. развивает новое направление, связанное с изучением пространственно-структурированных диэлектрических материалов. Это позволило спектроскопически наблюдать ряд важных общих для наночастиц эффектов, в т. ч. размерное квантование акустических колебаний нанокристаллов (моды Лэмба). В исследованиях диэлектрических сред с периодической модуляцией показателя преломления («фотонные кристаллы») работа ученого с сотрудниками совместно с группой В. Н. Богомолова (1995) была первой, где в качестве фотонного кристалла в видимой области спектра использовался синтетический опал – ныне один из ключевых материалов в изучении фотонных кристаллов. Главный редактор журнала «Физика твердого тела». Премии Международных конференций по люминесценции (1990) и рассеянию фононов (2001), исследовательская премия Гумбольдта (1997). Премия Правительства Санкт-Петербурга и Санкт-Петербургского центра РАН (2005) за исследования электронных и колебательных состояний в кристаллах методами оптической спектроскопии.

Источники (4)
Обсуждение
comments powered by HyperComments
Наверх